韩联社3月28日报道，三星电子表示，28日在中国陕西西安举行了三星中国半导体存储器二期生产线开工仪式。去年8月,三星电子与陕西省省政府签署了将在3年内投资70亿美元(约合7万8000亿韩元) 用于投资西安半导体二期生产线谅解备忘录（MOU）。工程将于明年完工,此后，将引进半导体生产设备,并开始批量生产V-NAND。V-NAND与现有的平面NADA闪存不同,是用三维结构制成的NAND闪存,容量较大。三星电子代表理事金基南在致词中表示，三星将通过西安二期生产线的成功运营,向顾客提供最尖端的半导体存储器产品,并为其提供差别化解决方案,为全球IT市场发展做出贡献。陕西省委书记胡和平、省长刘国中、韩国驻华大使卢英敏、韩国驻西安总领馆总领事李康国、三星电子代表理事金基南等出席了开工仪式。